HEC--B（子宮內膜腺癌細胞）  細胞潛伏期（latent phase）：細胞接種后，先經過一個在培養液中呈懸浮狀態的懸浮期.此時，細胞質回縮，胞體呈圓球形.然后細胞貼附于載體表面，稱貼壁，懸浮期結束. 細胞貼壁速度與細胞種類，培養基成分，載體的理化性質等密切相關。一般情況下，原代培養細胞貼壁速度慢，可達0-24 小時或更多,而傳代細胞系貼壁速度快，通常0-30 分鐘即可貼壁。細胞貼壁后還需經過一個潛伏階段，才進入生長和增殖期.原代培養細胞潛伏期，約24-96 小時或更長，連續細胞系和腫瘤細胞潛伏期短，僅需6-24 小時。
細胞指數增生期（logarithmic growth phase） 這是細胞增殖zui旺盛的階段，分裂相細胞增多。指數增生期細胞分裂相數量可作為判定細胞生長是否旺盛的一個重要標志。通常以細胞分裂相指數（Mitotic index,MI）表示，即細胞群中每000 個細胞中的分裂相數。一般細胞的分裂指數介于0.%-0.5%，原 代細胞分裂指數較低，而連續細胞和腫瘤細胞分裂相指數可高達3%－5%。HEC--B（子宮內膜腺癌細胞）指數增生期的細胞是細胞活力時期，是進行各種實驗*時期，也是凍存細胞的時機。在接種細胞數量適宜情況下，指數增生期持續3－5 天后，隨著細胞數量不斷增多、生長空間減少，zui后細胞相互接觸匯合成片。

 正常細胞相互接觸后能抑制細胞運動，這種現象稱接觸抑制現象（contact inhibition）。而惡性腫瘤細胞無接觸抑制現象，能繼續移動和增殖，導致細胞向三維空間擴展，使細胞發生堆積（piled up）。細胞接觸匯合成片后，雖然發生接觸抑制，但只要營養充分，細胞仍能進行增殖分裂，因此細胞數仍然在增多。但是，當細胞密度進一步增大，培養液中營養成分減少，代謝產物增多時，細胞因營養枯竭和代謝產物的影響，導致細胞分裂停止，這種現象稱密度抑制現象（Density Inhibition）。

 培養細胞注意事項:

    實驗進行前，無菌室及無菌操作臺（laminarflow）以紫外燈照射30-60分鐘滅菌，以70%ethanol擦拭無菌操作抬面，并開啟無菌操作臺風扇運轉0分鐘后，才開始實驗操作。每次操作只處理一株細胞株，且即使培養基相同亦不共享培養基，以避免失誤混淆或細胞間污染。實驗完畢后，將實驗物品帶出工作臺，以70%ethanol擦拭無菌操作抬面。操作間隔應讓無菌操作臺運轉0分鐘以上后，再進行下一個細胞株之操作。

     無菌操作工作區域應保持清潔及寬敞，必要物品，例如試管架、吸管吸取器或吸管盒等可以暫時放置，其它實驗用品用完即應移出，以利于氣流之流通。實驗用品以70%ethanol擦拭后才帶入無菌操作臺內。實驗操作應在抬面之無菌區域，勿在邊緣之非無菌區域操作。

小心取用無菌之實驗物品，避免造成污染。勿碰觸吸管尖頭部或是容器瓶口，亦不要在打開之容器正上方操作實驗。容器打開后，以手夾住瓶蓋并握住瓶身，傾斜約45°角取用，盡量勿將瓶蓋蓋口朝上放置桌面。

工作人員應注意自身之安全，須穿戴實驗衣及手套后才進行實驗。對于來自人類或是病毒感染之細胞株應特別小心操作，并選擇適當等級之無菌操作臺（至少ClassⅡ）。操作過程中，應避免引起aerosol之產生，小心毒性藥品，例如DMSO及TPA等，并避免尖銳針頭之傷害等。
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